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美开发新型3D 器件集成制作技术

发布时间:2014-06-17

[提要]  作为世界领先半导体和相关技术研究公司,美国半导体研究公司近日宣布资助加州大学伯克利分校开展新型3D器件集成制作技术研究,以提高移动设备和可穿戴电子产品的性能并降低尺寸。当前的3D互连解决方案采用单晶半导体薄膜的转移、化学气相沉积生长多晶硅层或其他生长技术来实现器件集成。

 

  原标题:美开发新型3D 器件集成制作技术

  作为世界领先半导体和相关技术研究公司,美国半导体研究公司近日宣布资助加州大学伯克利分校开展新型3D器件集成制作技术研究,以提高移动设备和可穿戴电子产品的性能并降低尺寸。

  当前的3D互连解决方案采用单晶半导体薄膜的转移、化学气相沉积生长多晶硅层或其他生长技术来实现器件集成。与这种芯片堆叠方法相比,此项研究工作重点关注于利用半导体“墨水”印刷技术在3D单片芯片上额外垂直集成一层晶体管,其制作简单且成本低廉。

  目前,加州大学伯克利分校研究人员正在开发直接印刷透明氧化物晶体管技术,以期在CMOS金属上实现额外有源器件的集成。这就需要开发新材料和处理技术来沉积半导体、介质和导体纳米粒子。

  这种低温处理技术有助于半导体制造商以低成本为电子组件集成处理、存储、传感和显示等额外性能,开发尺寸更小、性能更高、价格更低廉的电子组件;亦能与聚合物基底相兼容,为可穿戴电子产品带来创新应用


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